FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：450V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：500mA（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.9V @ 250mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：6.5nC @ 10V

Vgs（最大值）：±50V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：185pF @ 25V

功率耗散（最大值）：900mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.25 欧姆 @ 250mA，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-SOP

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs